三星重启Z-NAND技术：AI时代存储性能或将提升15倍

三星电子近日宣布将重启其七年前推出的Z-NAND存储技术，目标是通过新一代产品实现传统NVMe SSD性能的15倍提升。这一战略调整源于AI技术浪潮下对高性能存储需求的激增，尤其在AI GPU加速领域。

在2025年闪存峰会（FMS）上，三星半导体存储业务执行副总裁透露，新一代Z-NAND将采用架构优化方案，除性能跃升外，功耗可降低达80%。关键技术突破在于引入GPU-Initiated Direct Storage Access（GIDS）技术，该技术允许GPU绕过CPU直接访问存储数据，其设计理念与微软DirectStorage API类似，可显著降低AI工作负载的延迟。

Z-NAND最初作为英特尔3D XPoint傲腾技术的竞品推出，采用改良版48层V-NAND结构，以SLC模式运行。其核心创新是将页尺寸压缩至2-4KB（传统SSD为8-16KB），通过小数据块读写机制实现延迟优化。历史测试数据显示，初代Z-NAND与傲腾产品相较传统SSD已有6-10倍性能优势。

值得注意的是，三星此次技术迭代并非简单复刻。虽然仍保持DRAM与SSD之间的中间层定位，但新方案着重强化了与AI加速器的协同能力。行业观察人士指出，若15倍性能目标达成，将彻底改变数据中心、高性能计算等领域的存储架构格局。目前三星尚未公布具体量产时间表，但强调该技术将优先应用于AI推理训练等关键场景。

市场分析认为，此举标志着存储技术竞争进入新阶段。随着AI应用对数据吞吐要求的指数级增长，传统NAND架构已面临瓶颈，Z-NAND的复活可能引发新一轮存储技术军备竞赛。