英伟达与英诺赛科达成深度合作，推动800V直流电源架构在AI数据中心的应用

英伟达（NVIDIA）于8月1日更新其800V直流电源架构合作商名录，中国氮化镓（GaN）芯片企业英诺赛科成为唯一入选的中国供应商，标志着双方正式达成深度合作。此次合作将推动800V直流电源架构在AI数据中心的规模化应用，助力单机柜功率密度突破300kW，使全球AI数据中心迈入兆瓦级供电时代。

随着AI大模型和高性能计算集群的迅猛发展，算力功耗呈现指数级增长。据行业预测，2027年全球AI数据中心的年新增耗电量将达到500TWh，较2024年几乎翻倍，电力成本占数据中心总运营支出的40%以上。传统54V低压架构在单机柜功率超过200kW时已触及物理极限，难以满足高密度算力集群的能源需求。800V高压直流架构的引入，可将传输损耗降低50%以上，电源转换效率提升至97%，同时减少30%的线缆用量，显著优化数据中心的能源效率和空间利用率。

英诺赛科作为国内第三代半导体领域的领军企业，凭借其硅基氮化镓技术的突破，成功通过英伟达的严苛认证。其80V-100V增强型HEMT器件（高电子迁移率晶体管）适配800V架构的高频需求，GaN芯片的开关速度比传统硅基芯片快3倍，能耗降低40%。公司采用IDM全产业链模式，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆生产能力，产品覆盖15V至1200V的功率器件。

市场对此次合作反应强烈，英诺赛科港股股价在消息公布后盘中一度飙升超60%，创历史新高。分析指出，随着AI算力需求的持续增长，GaN技术在数据中心电源、5G基站等领域的应用前景广阔。此次合作不仅为英诺赛科带来新的发展机遇，也为中国半导体企业参与全球市场竞争提供了示范效应。

英伟达的技术路线历来具有行业标准意义，其主导的800V架构有望重塑数据中心电源的技术格局。英诺赛科的入选，意味着中国企业在未来数据中心能源革命中获得了关键话语权。行业预计，全球数据中心电源市场规模将从2025年的80亿美元增长至2030年的200亿美元，英诺赛科作为先发者，有望占据重要市场份额。